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集成电路(IC芯片) 连接器 分立半导体产品 电容器 电阻器

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产品料号:

BSR58LT1G

BSR58LT1G
品牌/产地: ON Semiconductor 品牌来源:
产品分类: FET器件 封装/规格: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
产品编码: JR1433181 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: -
最小包装数量: 6000 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 6000 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: ON Semiconductor
规格描述: JFET N-CH 40V 350MW SOT23
图片仅供参考
BSR58LT1G

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详细类别:JFET(结点场效应
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V
漏源极电压 (Vdss):-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):8mA @ 15V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):800mV @ 1uA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
电阻 - RDS(开):60 欧姆
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值:350mW


-系列简介:
本产品关键字:BSR58LT1G,
原厂料号品牌规格描述

MMBF0201NLT1

ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23

NTR0202PLT1

ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23

2N7002LT1G

ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23

NTR4170NT1G

ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23

MMBF4392LT1

ON Semiconductor JFET N-CH 30V 225MW SOT23
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