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产品展示
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品牌/产地: |
Vishay Siliconix |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
产品编码: |
JR1428626 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
TrenchFET® |
最小包装数量: |
2500 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
2500 |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: Vishay Siliconix |
规格描述: |
MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC |
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图片仅供参考
SQ9945BEY-T1-GE3 |
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详细类别:FET - 阵列 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):60V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.4A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):64 毫欧 @ 3.4A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):470pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO
TrenchFET®系列简介:
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本产品关键字:SQ9945BEY-T1-GE3, |
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