中文版  |  English  |  繁体中文  |  网站地图
参数搜索举例:ARM 32BIT 32K FLASH        1210 10uf 25v 125度 10%
料号搜索举例:STM32F401VBT6         FH35C-41S-0.3SHW
当前位置:首页 > 产品中心  > FET器件 > Vishay Siliconix > TrenchFET® > SI7216DN-T1-E3
集成电路(IC芯片) 连接器 分立半导体产品 电容器 电阻器

   联系电话:0755-82353796
   传  真:0755-28263285
   李经理 13823135601 
   QQ:3008976071
   张小姐 13631595877
   QQ:125926782
   唐经理  13823729684
   QQ:3008976288
   公司地址:深圳市福田区
   赛格广场22楼2208B
   仓库地址:深圳市龙岗区园山街
   道尚城大厦1101

产品料号:

SI7216DN-T1-E3

SI7216DN-T1-E3
品牌/产地: Vishay Siliconix 品牌来源:
产品分类: FET器件 封装/规格: PowerPAK? 1212-8 双
产品编码: JR1427670 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: TrenchFET®
最小包装数量: 3000 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 3000 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: Vishay Siliconix
规格描述: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
图片仅供参考
SI7216DN-T1-E3

产品相关的资料数据可能存在错误(数据量太大),具体请咨询我们!

详细类别:FET - 阵列
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):32 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):670pF @ 20V
功率 - 最大值:20.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8 Dual


TrenchFET®系列简介:
本产品关键字:SI7216DN-T1-E3,
原厂料号品牌规格描述

SI7923DN-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

SI7922DN-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

SI7220DN-T1-E3

Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8

SI7923DN-T1-E3

Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

SI7220DN-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
公司地址:深圳市福田区赛格广场22楼2208B  电 话: 0755-82353796 传 真: 0755-28263285
版权所有©深圳市俊融科技有限公司 ShenZhen JunRong Technology Co.,Ltd. 网 址:www.szJunRong.com
ST、TI、Realtek、Renesas、Mps芯片集成电路IC;HRS、TE、JST连接器,muRata、华新科、国巨电容,NICHICON、RUBYCON、NCC电容 
备案号:粤ICP备17053905号