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产品料号:

BSD223P-L6327

BSD223P-L6327
品牌/产地: Infineon Technologies 品牌来源:
产品分类: FET器件 封装/规格: 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
产品编码: JR1427385 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: OptiMOS™
最小包装数量: 6000 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 6000 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: Infineon,英飞凌
规格描述: MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363
图片仅供参考
BSD223P-L6327

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详细类别:FET - 阵列
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):390mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.5uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.62nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):56pF @ 15V
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:PG-SOT363-6


OptiMOS™系列简介:
本产品关键字:BSD223P-L6327,
原厂料号品牌规格描述

2N7002DW-L6327

Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 60V 300MA SOT363

BSD214SN-H6327

Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363

BSD840N-H6327

Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363

BSD314SPE-L6327

Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363

2N7002DW-H6327

Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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