中文版  |  English  |  繁体中文  |  网站地图
参数搜索举例:ARM 32BIT 32K FLASH        1210 10uf 25v 125度 10%
料号搜索举例:STM32F401VBT6         FH35C-41S-0.3SHW
当前位置:首页 > 产品中心  > FET器件 > Infineon Technologies > OptiMOS™ > IPP70N04S3-07
集成电路(IC芯片) 连接器 分立半导体产品 电容器

   联系电话:0755-82353796
   传  真:0755-28263285
   李经理 13823135601 
   QQ:241181876
   公司地址:深圳市罗湖区罗芳路
   122号南方大厦B座909B
   仓库地址:深圳市龙岗区园山街
   道尚城大厦1101

产品料号:

IPP70N04S3-07

IPP70N04S3-07
品牌/产地: Infineon Technologies 品牌来源:
产品分类: FET器件 封装/规格: TO-220-3
产品编码: JR1418215 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: OptiMOS™
最小包装数量: 1000 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 1000 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: Infineon,英飞凌
规格描述: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
图片仅供参考
IPP70N04S3-07

产品相关的资料数据可能存在错误(数据量太大),具体请咨询我们!

详细类别:FET - 单
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 70A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2700pF @ 25V
功率 - 最大值:79W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:PG-TO220-3


OptiMOS™系列简介:
本产品关键字:IPP70N04S3-07,
原厂料号品牌规格描述

IPP530N15N3-G

Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3

IPP045N10N3-G

Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

IPP200N15N3-G

Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3

IPP072N10N3-G

Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

IPP114N03L-G

Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3
公司地址:深圳市罗湖区罗芳路122号南方大厦B座909B  电 话: 0755-82353796 传 真: 0755-28263285
版权所有©深圳市俊融科技有限公司 ShenZhen JunRong Technology Co.,Ltd. 网 址:www.szJunRong.com
ST、TI、Microchip芯片集成电路IC,HRS、TE、JST连接器,muRata、华新科、国巨电容,NICHICON、RUBYCON、NCC电容 
备案号:粤ICP备17053905号