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产品料号:

C2M0280120D

C2M0280120D
品牌/产地: Cree Inc 品牌来源:
产品分类: FET器件 封装/规格: TO-247-3
产品编码: JR1408810 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: Z-FET™
最小包装数量: 联系咨询 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 联系咨询 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: Cree Inc
规格描述: MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
图片仅供参考
C2M0280120D

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详细类别:FET - 单
FET 类型:SiCFET N 通道,碳化硅
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):370 毫欧 @ 6A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1.25mA (Typ)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20.4nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):259pF @ 1000V
功率 - 最大值:62.5W
安装类型:*
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247-3


Z-FET™系列简介:
本产品关键字:C2M0280120D,
原厂料号品牌规格描述

C2M1000170D

Cree Inc MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247

C2M0160120D

Cree Inc MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247

C2M0080120D

Cree Inc MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247

CMF10120D

Cree Inc MOSFET N-CH 1200V 24A TO247

CMF20120D

Cree Inc MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
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